4Х Н-Тип СиЦ супстрат

СиЦ супстрати типа Н- су пројектовани за хомоепитаксијални раст у напредној производњи енергетских полупроводника. Са врхунским електричним и термичким перформансама, овим високим{2}}перформансамаСиЦ супстратје погодан за{0}}примену велике снаге у електричним возилима, фотонапонским системима, енергији ветра и другим новим енергетским технологијама.

Асортиман производа укључује 6-инчни и 8-инчниСиЦ плочицеза масовну производњу и глобално снабдевање, са могућношћу производње супстрата од 12-инча која је доступна за следеће генерације енергетских полупроводничких апликација.

 

6-инчни
Пречник	150,0 мм+0 мм/-0,2 мм
Оријентација површине	4 степена према<1120>±0,5 степени
Примарна равна дужина	47,5 мм ±1,5 мм
Примарна равна оријентација	<1120>±1,0 степен
Оријентација зареза	/
Угао зареза	/
Нотцх Дептх	/
Сецондари Флат	N/A
Дебљина	350.0ум±25.0ум
Политипе	4H
Тип	н-тип

 

 

 

8-инчни
Пречник	200,0 мм+0 мм/-0,5 мм
Оријентација површине	4 степена према<1120>±0,5 степени
Примарна равна дужина	Нотцх
Примарна равна оријентација	/
Оријентација зареза	<1100>±1,0 степен
Угао зареза	90 степени +5 степен /-1 степен
Нотцх Дептх	1,0 мм+0.25мм/-0мм
Сецондари Флат	N/A
Дебљина	500.0ум±25.0ум
Политипе	4H
Тип	н-тип

 

 

12-инчни
Пречник	300,0 мм+0 мм/-0,5 мм
Оријентација површине	4 степена према<1120>±0,5 степени
Примарна равна дужина	Нотцх
Примарна равна оријентација	/
Оријентација зареза	<1100>±5,0 степени
Угао зареза	90 степени +5 степен /-1 степен
Нотцх Дептх	1,0 мм+0.25мм/-0мм
Сецондари Флат	N/A
Дебљина	750,0ум±25,0ум
Политипе	4H
Тип	н-тип