4Х Полу{1}}Изолациона СиЦ плочица

Полу-изолационе СиЦ подлоге нуде високу отпорност и одличне термичке особине, што их чини погодним за ГаН хетероепитаксијални раст и високо-радне РФ полупроводничке апликације. Као висок-учинакСиЦ супстрат, широко се користи за ХЕМТ{0}}базиране уређаје у напредним комуникационим системима, укључујући 5Г инфраструктуру.

Ове полу{0}}изолационеСиЦ плочицетакође пружају одличне оптичке и материјалне особине, подржавајући нове апликације у оптоелектроници и носивој електроници. 12-инчни СиЦ супстрати нуде потенцијал за апликације следеће-генерације као што су АР наочаре и други напредни оптички уређаји.

 

6-инчни
Пречник	150,0 мм+0 мм/-0,2 мм
Оријентација површине	{0001}±0,2 степена
Примарна равна оријентација	/
Секундарна равна оријентација	/
Примарна равна дужина	Нотцх
Секундарна равна дужина	Ниједан
Оријентација зареза	<1100>±1,0 степен
Нотцх Дептх	Ништа 1мм+0.25мм/-0мм од ивице
Угао зареза	90 степени +5 степен /-1 степен
Дебљина	500.0ум±25.0ум
Тип	Полу{0}}изолациони

 

 

 

8-инчни
Пречник	200,0 мм+0 мм/-0,5 мм
Оријентација површине	{0001}±0,2 степена
Примарна равна оријентација	/
Секундарна равна оријентација	/
Примарна равна дужина	Нотцх
Секундарна равна дужина	Ниједан
Оријентација зареза	<1100>±1,0 степен
Нотцх Дептх	Ништа 1мм+0.25мм/-0мм од ивице
Угао зареза	90 степени +5 степен /-1 степен
Дебљина	500.0ум±25.0ум
Тип	Полу{0}}изолациони

 

 

12-инчни
Пречник	300,0 мм+0 мм/-0,5 мм
Оријентација површине	{0001}±0,5 степени
Примарна равна оријентација	/
Секундарна равна оријентација	/
Примарна равна дужина	Нотцх
Секундарна равна дужина	Ниједан
Оријентација зареза	<1100>±5,0 степени
Нотцх Дептх	Ништа 1мм+0.25мм/-0мм од ивице
Угао зареза	90 степени +5 степен /-1 степен
Дебљина	750,0ум±25,0ум
Тип	Полу{0}}изолациони