Извор: Фраунхофер ИСЕ
1 Силицијумска соларна ћелија са Ал-БСФ
Поље задње алуминијумске површине (Ал-БСФ) легирањем задњег контакта у базу што резултира н + пп + структуром омогућило је смањену рекомбинацију на задњој страни.
2 Силиконска соларна ћелија са ПЕРЦ-ом
Заменом потпуно контактиране Ал-БСФ ћелије пасиваном емитерском и задњом ћелијом (ПЕРЦ) ћелијском структуром са локалним задњим контактима постижу се боља електрична и оптичка својства.
3 Силиконске соларне ћелије са ТОПЦон-ом
Пасивативни контакт тунел-оксида (ТОПЦон) састоји се у додавању танког тунелирајућег силицијум-диоксида (око 1,5 нм) и допираног полисилицијумовог слоја између силицијумске подлоге и задњег металног контакта. У случају подлоге типа н, слој полисиликона допиран фосфором користи се као задња контактна структура.
4 Силицијумска соларна ћелија са СХЈ
Сунчане ћелије за силицијумску хетеројукцију (СХЈ) користе пасивирајуће контакте на основу слоја слоја унутрашњег и допираног аморфног силицијума.
5 Силицијумска соларна ћелија са ИБЦ-ом
Сунчана ћелија са интердигигираним повратним контактом (ИБЦ) са допингом и контактима оба поларитета на једној страни захтева интердигигирани (или пругасти) допинг на задњој површини и има контакте само на задњој страни.
