Долирање галијума је метода за спречавање деградације индуковане светлошћу (ЛИД), посебно у ПЕРЦ ћелијама. Коришћење силицијумских плочица допираних Га за примену соларних ћелија дефинитивно резултира бољим перформансама соларних ћелија и ПВ модула, као и побољшањем њихових дуготрајних појам поузданост.
Шематски дијаграм соларне ћелије ПЕРЦ
Према изјави за штампу, Схин-Етсу Цхемицал има неколико патената на допинг галијума у кристалима силицијума и на употребу кристалних силицијумских плочица п-типа долираних галијумом у производњи фотонапонских ћелија.
Широко је познато да соларне ћелије које користе пликоване силицијумске плочице допиране бором пате од деградације индуковане светлошћу (ЛИД). То се дешава у првим сатима када су кристалне силиконске соларне ћелије допиране бором п-типа доведене сунцу, што доводи до губитка перформанси и општег смањења ефикасности конверзије.
Овај ЛИД је повезан са стварањем комплекса боровог кисеоника, који делује као штетна мана и смањује дужину дифузије мањинског носача. Иако је до данас спроведено много истраживања у вези са карактеризацијом и ублажавањем ЛИД-а, индустријске соларне ћелије и даље трпе због различитих врста губитака ефикасности изазваних светлошћу.
Употреба галијумског допинга за спречавање ЛИД-а
Међутим, постоји индустријска алтернатива силицијуму допираном бором - силицијум допиран галијумом. Сматра се да је имун на ЛИД, посебно када се користи у ПЕРЦ ћелијама.
У октобру 2019. године, кинеска компанија ЈА Солар добила је права интелектуалног власништва за сопствену технологију допинга галијума која се користи у производњи фотонапонских (ПВ) ћелија. ЈА Солар објаснио је да његова заштићена технологија може ефикасно ублажити ЛИД ефекат на ПВ модуле који су састављени од силицијумских плочица п-типа.
ГГ „Коришћење силицијумских плочица допираних Га за примену соларних ћелија дефинитивно резултира бољим перформансама соларних ћелија и ПВ модула, као и побољшањем њихове дугорочне поузданости“, рекао је председник и одбор директора Јин Баофанг.
Компанија такође поседује неколико патената на допинг галијума у кристалима силицијума и на употребу кристалних силицијумских плочица п-типа допираних галијумом у производњи ПВ ћелија.
Га допирана силиконска соларна плочица
Га допирана силиконска соларна плочица 210 мм М12 Г12
Га допирана силиконска соларна плочица 166 мм М6
Га допирана силиконска соларна плочица 161,7 мм М4
Га допирана силиконска соларна плочица 158,75 мм Г1 пуног квадрата
Га допирана силиконска соларна плочица 156,75 мм М2
